KG-PM-15-10G 铌酸锂高速电光相位调制器使用说明
2024-07-28 17:37:10 | 技术支持          浏览量:559

KG-PM-15-10G 铌酸锂高速电光相位调制器使用说明



1. 电光相位调制器工作原理

KG-PM-15-10G 高速相位调制器利用铌酸锂晶体的电光效应,采用先进的钛扩散铌酸锂波导(Z 切)及高频封装等工艺制造,可以实现光信号的高速相位调制,其内部结构如图 所示:


高速电光相位调制器内部结构框图


图 1 高速电光调制器内部结构框图


2. 电光相位调制器管脚及接口定义

高速电光相位调制器管脚及接口定义

图 2 高速相位调制器管脚及接口定义

高速相位调制器管脚及接口定义

               备注:可定制带直流偏置功能

3. 电光相位调制器结构尺寸图

电光相位调制器结构尺寸图

电光相位调制器结构尺寸图


4. 电光相位调制器极限参数说明

电光相位调制器极限工作条件

   备注:在调制器做好散热情况下射频功率最大可以到 30dBm;超出常规工作温度范围需提前做温度筛选。


5. 电光相位调制器使用要求及注意事项


(1) 从包装盒取出调制器时,要轻拿轻放,避免用力过猛导致器件尾部光纤或接头处光纤断裂。
(2) 必须按照器件标识方向进行通光。不同波长(850nm1064nm1550nm),不同工艺(钛扩散、质子交换)制作的调制器,其输入光功率均有特定的阈值,必须在 其规定范围内使用。一般波长 1550nm 质子交换工艺制作的调制器的其功率阈值为: 200mW@1550nm , 1mW@632nm ; 钛 扩 散 工 艺 制 作 的 其 功 率 阈 值 为 : 50mW@1550nm,1mW@632nm。
(3) 射频信号端口其电功率阈值一般为 27dBm,或按其明书上要求的功率进行使用。 (4) 在高低温存贮、高低温循环等试验及长期存放时,如器件含有偏置控制端口及光电探测端口,需在偏置控制端口及光电探测端口进行短路。

6. 电光相位调制器关键指标说明

(1) 插入损耗(IL) 插入损耗为光纤系统中插入器件所引起的总光能损失。其值为在规定的工作模式下插入器件与未插入器件 时光路输出光功率的比值,以分贝数(dB)表示。 
(2) 偏振消光比(PER)偏振消光比表征器件的偏振保持特性。其值为器件输出在工作模式下(一般为 TE 模)的光功率与非工作模式(一般为 TM 模)的光功率的比值。单位为分贝,用 dB 表示。
(3) 半波电压(Vpi)在特定频率的电信号调制下,规定波长光信号通过器件产生 180 度相位移动时,所需的外加调制电压。 
(4) 3dB 带宽(S21)
         3dB 带宽表征器件的工作频率范围,是指器件的频响曲线下降 3dB 时所对应的频率 范围
(5) 电反射(S11) 
         器件射频电接口上,反射信号功率与输入信号功率的比值。单位为分贝,用 dB 表
示。

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